UMT1NTN 与 HN1A01FU-GR,LF 区别
| 型号 | UMT1NTN | HN1A01FU-GR,LF | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMT1NTN-1 | A36-HN1A01FU-GR,LF | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Toshiba | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | 通用三极管 | ||||||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||||||||
| 功率 | - | 200mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 140MHz | - | ||||||||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 10mA,100mA | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -500mV | - | ||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 150mA | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | US6 | ||||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50V | ||||||||||||
| VCBO | -60V | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 125°C(TJ) | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | -150mA | - | ||||||||||||
| 频率-跃迁 | - | 80MHz | ||||||||||||
| VEBO | -6V | - | ||||||||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 200 @ 2mA,6V | ||||||||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 100nA(ICBO) | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | - | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 120 | - | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | 2 PNP(双) | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 9,000 | 132 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA PNP |
￥1.1937
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9,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
￥0.3536
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1,108 | 对比 | |||||||||||||
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HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用三极管 |
US6 2 PNP(双) |
￥0.9732
|
132 | 对比 | ||||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
暂无价格 | 46 | 对比 | ||||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
暂无价格 | 3 | 对比 |
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