UMT1NTN 与 BC857BDW1T1G 区别
| 型号 | UMT1NTN | BC857BDW1T1G | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMT1NTN-1 | A36-BC857BDW1T1G | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363-6 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||||||||
| VCBO | -60V | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | -150mA | - | ||||||||||||
| 特征频率fT | 140MHz | - | ||||||||||||
| VEBO | -6V | - | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -500mV | - | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | - | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 120 | - | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,704 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA PNP |
￥1.2114
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
￥0.2445
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2,704 | 对比 | ||||||||||
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MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
￥0.3536
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1,542 | 对比 | |||||||||||
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BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 |
￥0.2073
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992 | 对比 | ||||||||||
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MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 | 暂无价格 | 4 | 对比 |
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