UMH2NTN 与 PUMH20,115 区别
| 型号 | UMH2NTN | PUMH20,115 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMH2NTN-1 | A36-PUMH20,115 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | UMH2N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SOT-353 | PUMH20 Series 50 V 100 mA SMT NPN/NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-363 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | 47K Ohms | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 150mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||||||||
| VEBO | - | 10V | ||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 68 | 30 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | 2NPN | ||||||||||||
| R1 | 47K Ohms | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 15,000 | 1 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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UMH2NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2639
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15,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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PUMH20,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 2NPN |
￥0.8185
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6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DDC144EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -50V -30mA 2PNP |
￥0.2487
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3,053 | 对比 | ||||||||||||||
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DDC144NS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA 2NPN |
￥0.4531
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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PUMH20,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 2NPN |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||||
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PUMH7,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 2NPN |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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