UMH1NTN 与 PUMH20,115 区别
| 型号 | UMH1NTN | PUMH20,115 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMH1NTN-1 | A-PUMH20,115 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | PUMH20 Series 50 V 100 mA SMT NPN/NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-363 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| R2 | 22K Ohms | - | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 150mV | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||||||||||||
| VEBO | - | 10V | ||||||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 56 | 30 | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | 2NPN | ||||||||||||||||
| R1 | 22K Ohms | - | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 15,000 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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UMH1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2826
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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PUMH20,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 2NPN |
￥0.8185
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15,000 | 对比 | ||||||||||
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PUMH20,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 2NPN |
暂无价格 | 21 | 对比 | ||||||||||
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BCR 48PN H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW NPN+PNP 50V 70mA,100mA 车规-带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BCR 48PN H6433 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW NPN+PNP 50V 70mA,100mA 车规-带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PUMD20,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 NPN+PNP |
￥0.2365
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0 | 对比 |
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