UMD6NTR 与 PUMD19,115 区别
| 型号 | UMD6NTR | PUMD19,115 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMD6NTR-1 | A-PUMD19,115 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | UMD2N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz,250MHz | - | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV,-300mV | 150mV | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||
| VCBO | 50V,-50V | 50V | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA,-100mA | 100mA | ||||||||||
| VEBO | 5V,-5V | 5V | ||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V,-50V | 50V | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 100,100 | 100 | ||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||
| R1 | 4.7K/4.7K Ohms | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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UMD6NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.2826
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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PUMD14,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 车规 NPN+PNP |
￥0.2365
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0 | 对比 | ||||||||||
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PUMD19,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.2365
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0 | 对比 |
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