UMD12NTR 与 PBLS1504Y,115 区别
| 型号 | UMD12NTR | PBLS1504Y,115 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMD12NTR-1 | A3n-PBLS1504Y,115 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | UMD12N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-88 | PBLS1504Y Series 15 V PNP BISS Loadswitch Digital Transistor - SOT-363 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | 47K/47K Ohms | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz,250MHz | 280MHz | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV,-300mV | 150mV,-250mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||||
| VCBO | - | 50V,-15V | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA,-100mA | 100mA,-500mA | ||||||||||||
| VEBO | - | 10V,-6V | ||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V,-50V | 50V,-15V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 68,68 | 60 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||||
| R1 | 47K/47K Ohms | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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UMD12NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.2826
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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PUMD17,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8185
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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DCX144EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.4979
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254 | 对比 | ||||||||||
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DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 49 | 对比 | ||||||||||
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PBLS1504Y,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V,-15V 100mA,-500mA NPN+PNP |
￥0.6248
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0 | 对比 |
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