| 型号 | UMB2NTN | PUMB9,115 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-UMB2NTN-1 | A-PUMB9,115 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | UMB2N Series 50 V 100 mA Surface mount Dual PNP Digital Transistor SC-88 | TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| R2 | 47K Ohms | - | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 180MHz | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | -100mV | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -100mA | ||||||||||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||||||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 68 | 100 | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | 2PNP | ||||||||||||||||||
| R1 | 47K Ohms | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 5 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UMB2NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -100mA PNP |
￥1.2826
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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PUMB9,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -50V -100mA 车规 2PNP |
￥0.6047
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5 | 对比 | ||||||||||||
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PUMB16,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -50V -100mA 2PNP |
￥0.1869
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0 | 对比 | ||||||||||||
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PUMB18,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -50V -100mA 车规 2PNP |
￥0.2365
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0 | 对比 | ||||||||||||
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PUMB20,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -50V -100mA 车规 2PNP |
￥0.1869
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0 | 对比 | ||||||||||||
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BCR 198S H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW PNP -50V -70mA 车规-带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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