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SI4435DY  与  IRF9393TRPBF  区别

型号 SI4435DY IRF9393TRPBF
唯样编号 A32-SI4435DY-1 A36-IRF9393TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.9mm 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.035 0hms 32.5mΩ
引脚数目 8 8
最小栅阈值电压 1V 1.3V
栅极电压Vgs -20 V、+20 V -
封装/外壳 4.9 x 3.9 x 1.57mm -
连续漏极电流Id 8.8 A 9.2A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
长度 4.9mm 5mm
最低工作温度 -55 °C -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V,20V
正向二极管电压 1.2V 1.2V
每片芯片元件数目 1 Ohms 1 Ohms
最高工作温度 +175 °C -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 25V
高度 1.57mm 1.50mm
类别 功率 MOSFET 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 42 ns 55 ns
漏源极电压Vds 1604 pF @ -15 V -
晶体管材料 Si Si
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.5W
晶体管配置
FET类型 增强 -
系列 PowerTrench HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1604pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 5V -
典型接通延迟时间 13 ns 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
正向跨导 24S 13S
库存与单价
库存 10 19,918
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.556
30+ :  ¥1.936
100+ :  ¥1.551
1,000+ :  ¥1.375
2,000+ :  ¥1.309
4,000+ :  ¥1.243
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4435DY ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9x3.9x1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
10 当前型号
IRF9393TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
1,000: ¥1.375
2,000: ¥1.309
4,000: ¥1.243
19,918 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.662 

阶梯数 价格
20: ¥2.662
100: ¥2.123
1,000: ¥1.903
2,000: ¥1.793
4,000: ¥1.705
16,146 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,667 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
181 对比

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