SH8K12TB1 与 ZXMN3A06DN8TA 区别
| 型号 | SH8K12TB1 | ZXMN3A06DN8TA | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-SH8K12TB1-1 | A36-ZXMN3A06DN8TA | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.8W | ||||||||||||
| 功率-最大值 | 2W | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 35mΩ@9A,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 250pF @ 10V | 796pF @ 25V | ||||||||||||
| FET类型 | 2 N-通道(双) | 2N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 17.5nC @ 10V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | 8-SO | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.9A | ||||||||||||
| FET功能 | 逻辑电平门 | - | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 42 毫欧 @ 5A,10V | - | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A | - | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 4nC @ 5V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 191 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SH8K12TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP |
￥4.2044
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 4.9A |
￥3.924
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191 | 对比 | ||||||||||
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SP8K1TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) 2 N-通道(双) 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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