| 型号 | SH8J65TB1 | AO4813 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-SH8J65TB1-1 | A-AO4813 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 125 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 26 | ||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 2W | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 40mΩ | ||||||
| Qrr(nC) | - | 25 | ||||||
| VGS(th) | - | -2.5 | ||||||
| Qgd(nC) | - | 4.6 | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 10 | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP | SO-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | -7.1A | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| Ciss(pF) | - | 1040 | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ@7A,10V | 25mΩ@-7.1A,-10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 10V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18nC @ 5V | - | ||||||
| Trr(ns) | - | 11.5 | ||||||
| Coss(pF) | - | 180 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 9.6 | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,980 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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|
SH8J65TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 7A 29mΩ@7A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP |
¥7.126
|
1,980 | 当前型号 | ||||||||
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AO4813 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55°C~150°C |
¥2.34
|
140 | 对比 | ||||||||
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DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
¥2.82
|
21 | 对比 | ||||||||
|
AO4813 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |