SCT4026DRC15 与 SCT4026DEC11 区别
| 型号 | SCT4026DRC15 | SCT4026DEC11 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-SCT4026DRC15-2 | A32-SCT4026DEC11-1 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | SiC MOSFET | SiC MOSFET | ||||||||||
| 描述 | 750V, 26mΩ, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET | 750V, 26mΩ, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-4L | TO-247N | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 176W | - | ||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 56A | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 750V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 34mΩ@ 29A，18V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | +21V,-4V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 450 | 300 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247-4L N-Channel 34mΩ@ 29A，18V 176W -40°C~175°C +21V,-4V 750V 56A |
￥157.9828
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450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N |
￥126.871
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400 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N |
￥157.9828
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300 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DEC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N |
￥126.871
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153 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247-4L 车规 |
￥133.9237
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135 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT4026DRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247-4L 车规 |
￥47.5956
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30 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
