SCT3120ALGC11 与 FCH170N60 区别
| 型号 | SCT3120ALGC11 | FCH170N60 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-SCT3120ALGC11-2 | A-FCH170N60 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | SiC MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 103W(Tc) | 227W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V | ||
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247 | ||
| 连续漏极电流Id | 21A(Tc) | 22A | ||
| 工作温度 | 175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | SuperFET® II | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 3.33mA | 3.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 460pF @ 500V | 2860pF @ 380V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 18V | 55nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 156mΩ@6.7A,18V | 170m Ohms@11A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 60 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SCT3120ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
N-Channel 650V 21A(Tc) +22V,-4V 103W(Tc) 156mΩ@6.7A,18V 175°C(TJ) TO-247-3 |
￥147.4363
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60 | 当前型号 | ||||
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FCH170N60 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22A(Tc) ±20V 227W(Tc) 170m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 22A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STW26N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOK27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
FCH165N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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