SCT3080ALGC11 与 STW33N60M2 区别
| 型号 | SCT3080ALGC11 | STW33N60M2 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-SCT3080ALGC11-1 | A-STW33N60M2 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | SiC MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N | Single N-Channel 600 V 0.125 Ohm 45.5 nC 190 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 134W(Tc) | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 650V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-247N | TO-247-3 | ||||
| 工作温度 | 175°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 30A | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 5mA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 571pF @ 500V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 18V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 104mΩ@10A,18V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 390 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A |
￥167.2466
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390 | 当前型号 | ||||||
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STW33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
￥8.352
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125 | 对比 | ||||||
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STW33N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPW60R125CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A TO-247 N-Channel 600V 125mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STW45N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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