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SCT3060ALGC11  与  SPW47N65C3  区别

型号 SCT3060ALGC11 SPW47N65C3
唯样编号 A32-SCT3060ALGC11-1 A-SPW47N65C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 165W 415W
宽度 - 5.21mm
上升时间 37ns 27ns
漏源极电压Vds 650V 650V
Qg-栅极电荷 58nC 255nC
栅极电压Vgs 5.6V 10V
典型关闭延迟时间 34ns 210ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 39A 47A
系列 SCT3x CoolMOSC3
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 6.67mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 852pF @ 500V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 18V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
下降时间 21ns 14ns
典型接通延迟时间 19ns 100ns
导通电阻Rds(On) 60mΩ 70mΩ
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 450 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥208.2208
100+ :  ¥152.7095
450+ :  ¥111.0226
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-3 39A 165W 60mΩ 650V 5.6V

¥208.2208 

阶梯数 价格
1: ¥208.2208
100: ¥152.7095
450: ¥111.0226
450 当前型号
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥13.176 

阶梯数 价格
4: ¥13.176
10: ¥10.98
600: ¥10.56
1,200 对比
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥10.431 

阶梯数 价格
5: ¥10.431
5 对比
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW47N65C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

650V 47A 70mΩ 10V 415W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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