SCT3022ALGC11 与 IPW60R031CFD7 区别
| 型号 | SCT3022ALGC11 | IPW60R031CFD7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-SCT3022ALGC11-1 | A-IPW60R031CFD7 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | SiC MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Ciss | - | 5623.0pF | ||||
| Coss | - | 111.0 pF | ||||
| 栅极电压Vgs | +22V,-4V | 3.5V,4.5V | ||||
| RthJA max | - | 62.0K/W | ||||
| Special Features | - | fast recovery diode | ||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247 | ||||
| 连续漏极电流Id | 93A(Tc) | 63A | ||||
| 工作温度 | 175°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| QG (typ @10V) | - | 141.0 nC | ||||
| Ptot max | - | 278.0W | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 18V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 28.6mΩ@36A,18V | 31mΩ | ||||
| Budgetary Price €/1k | - | 6.52 | ||||
| 功率耗散Pd | 339W(Tc) | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V | ||||
| Moisture Level | - | NA | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| Qgd | - | 50.0 nC | ||||
| Pin Count | - | 3.0 Pins | ||||
| Mounting | - | THT | ||||
| RthJC max | - | 0.45 K/W | ||||
| 系列 | SCT | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.6V @ 18.2mA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2208pF @ 500V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 133nC @ 18V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 180 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT3022ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
N-Channel 650V 93A(Tc) +22V,-4V 339W(Tc) 28.6mΩ@36A,18V 175°C(TJ) TO-247-3 |
￥546.2771
|
180 | 当前型号 | ||||||
|
IPW60R031CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
31mΩ 600V 63A TO-247 -55°C~150°C N-Channel 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
