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RTR040N03TL  与  AO3400A  区别

型号 RTR040N03TL AO3400A
唯样编号 A32-RTR040N03TL A36-AO3400A
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 50
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ 26.5mΩ@10V
上升时间 18ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 48mΩ
Qgd(nC) - 1.8
栅极电压Vgs 12V 12V
Td(on)(ns) - 3
封装/外壳 TSMT SOT23-3
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4A 5.7A
配置 Single -
Ciss(pF) - 630
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 19ns -
Schottky Diode - No
高度 0.85mm -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 25
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W 1.4W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.45
典型关闭延迟时间 37ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR040N03 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 10ns -
Coss(pF) - 75
Qg*(nC) - 6
库存与单价
库存 100 89,661
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥1.9193
25+ :  ¥1.6545
100+ :  ¥1.4263
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
100 当前型号
DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.3238 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3238
120,000 对比
AO3400A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
89,661 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 48,000 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
36,421 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
36,388 对比

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