RSS100N03HZGTB 与 RSS090N03FRATB 区别
| 型号 | RSS100N03HZGTB | RSS090N03FRATB | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RSS100N03HZGTB-2 | A-RSS090N03FRATB | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.4W(Ta) | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | - | ||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 16mOhms@9A,10V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1070 pF @ 10 V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V@1mA | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20 nC @ 5 V | - | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Ta) | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 13.3 毫欧 @ 10A,10V | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 15nC@5V | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 10A(Ta) | - | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 30 V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,600 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RSS100N03HZGTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 150°C(TJ) 车规 |
￥11.8659
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2,600 | 当前型号 | ||||||||||||
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RSS090N03FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
9A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC -55°C~150°C(TJ) 30V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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