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RSH070N05TB1  与  FDS8449  区别

型号 RSH070N05TB1 FDS8449
唯样编号 A32-RSH070N05TB1-1 A-FDS8449
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 2.5W(Ta)
功率 2W -
漏源极电压Vds 45V 40V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOIC
连续漏极电流Id 7A(Ta) 7.6A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF -
导通电阻Rds(On) 25mΩ@7A,10V 29m Ohms@7.6A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.8nC -
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥6.1284
500+ :  ¥5.7008
1,000+ :  ¥5.2733
2,500+ :  ¥4.3469
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSH070N05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

¥6.1284 

阶梯数 价格
100: ¥6.1284
500: ¥5.7008
1,000: ¥5.2733
2,500: ¥4.3469
2,500 当前型号
RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 2W(Ta) 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.8261 

阶梯数 价格
30: ¥5.8261
50: ¥4.7625
100: ¥4.1684
300: ¥3.7755
500: ¥3.6893
1,000: ¥3.6318
2,450 对比
RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 2W(Ta) 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.8261 

阶梯数 价格
30: ¥5.8261
50: ¥4.7625
50 对比
FDS8449 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.6A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 29m Ohms@7.6A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 7.6A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RSH070N05GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 45V 7A(Ta) 20V 2W(Ta) 25mΩ@7A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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