RS6R060BHTB1 与 SIR632DP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6R060BHTB1 | SIR632DP-T1-RE3 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS6R060BHTB1-1 | A36-SIR632DP-T1-RE3 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | 69.5W(Tc) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 29A(Tc) | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 21.8mΩ@60A,10V | 34.5 mOhms @ 10A,10V | ||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 2,428 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥14.4658
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||
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SIR632DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29A(Tc) N-Channel 34.5 mOhms @ 10A,10V 69.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 150V |
￥6.9312
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2,428 | 对比 | ||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
￥3.684
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1,735 | 对比 | ||||||||||
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FDS2582 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 66m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
￥4.716
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84 | 对比 | ||||||||||
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
￥4.056
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40 | 对比 |
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