RS6N120BHTB1 与 SI7852DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6N120BHTB1 | SI7852DP-T1-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RS6N120BHTB1-1 | A36-SI7852DP-T1-GE3-1 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 104W | 1.9W(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 | SOIC-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | ±135A | 7.6A(Ta) | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | SI | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA(最小) | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.3m Ohms | 16.5mΩ@10A,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA(最小) | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 97 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥13.5508
|
2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
|
NTMFS6H818NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 100,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
NTMFS6H852NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.1mΩ@10A,10V ±20V DFN-5(5.9x4.9) -55°C~175°C 42A 80V 54W N-Channel |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||
|
SIR120DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel PowerPAK SO-8 |
￥10.332
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥10.1254
|
97 | 对比 | ||||||||||||
|
SIR586DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
