RS3E135BNGZETB 与 AO4468 区别
| 型号 | RS3E135BNGZETB | AO4468 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RS3E135BNGZETB-5 | A36-AO4468-3 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Tc) | 3.1W | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 9 | ||||||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | 10.5A | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.6mΩ@9.5A,10V | 17mΩ@10.5A,10V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | - | ||||||||||||
| Trr(ns) | - | 18 | ||||||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 269 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥7.6248
|
2,500 | 当前型号 | ||||||||||||
|
AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8988
|
21,859 | 对比 | ||||||||||||
|
RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
|
2,500 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
|
2,152 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.5988
|
269 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
