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RS3E135BNGZETB  与  RS3E095BNGZETB  区别

型号 RS3E135BNGZETB RS3E095BNGZETB
唯样编号 A32-RS3E135BNGZETB-5 A33-RS3E095BNGZETB
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W(Tc) 2W(Tc)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 9.5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 15V 680pF @ 15V
导通电阻Rds(On) 14.6mΩ@9.5A,10V 14.6mΩ@9.5A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V 8.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,500 2,152
工厂交货期 7 - 14天 21 - 28天
单价(含税)
10+ :  ¥7.6248
100+ :  ¥4.4894
500+ :  ¥4.0618
1,000+ :  ¥3.6342
2,500+ :  ¥3.0642
60+ :  ¥2.6831
100+ :  ¥2.2423
300+ :  ¥1.8495
500+ :  ¥1.7632
1,000+ :  ¥1.7057
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥7.6248 

阶梯数 价格
10: ¥7.6248
100: ¥4.4894
500: ¥4.0618
1,000: ¥3.6342
2,500: ¥3.0642
2,500 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

¥0.8988 

阶梯数 价格
60: ¥0.8988
200: ¥0.6192
1,500: ¥0.611
3,000: ¥0.5694
21,859 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥2.6831 

阶梯数 价格
60: ¥2.6831
100: ¥2.2423
300: ¥1.8495
500: ¥1.7632
1,000: ¥1.7057
2,500 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥2.6831 

阶梯数 价格
60: ¥2.6831
100: ¥2.2423
300: ¥1.8495
500: ¥1.7632
1,000: ¥1.7057
2,152 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

¥0.5988 

阶梯数 价格
90: ¥0.5988
269 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥0.8235 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.8235
0 对比

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