RS3E095BNGZETB 与 DMN4800LSSL-13 区别
| 型号 | RS3E095BNGZETB | DMN4800LSSL-13 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS3E095BNGZETB-5 | A3-DMN4800LSSL-13 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 8SO | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Tc) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.6mΩ@9.5A,10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 5,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥7.0548
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
￥1.356
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4,238 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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1,600 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 对比 |
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