首页 > 商品目录 > > > > RS3E095BNGZETB代替型号比较

RS3E095BNGZETB  与  AO4406A  区别

型号 RS3E095BNGZETB AO4406A
唯样编号 A32-RS3E095BNGZETB-5 A-AO4406A
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W(Tc) 3.1W
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO-8
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 13A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 14.6mΩ@9.5A,10V 11.5mΩ@12A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥7.0548
100+ :  ¥4.1332
500+ :  ¥3.7055
1,000+ :  ¥3.4204
2,500+ :  ¥2.8505
3,000+ :  ¥0.8235
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥7.0548 

阶梯数 价格
10: ¥7.0548
100: ¥4.1332
500: ¥3.7055
1,000: ¥3.4204
2,500: ¥2.8505
2,500 当前型号
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 5,000 对比
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SO-8

¥1.356 

阶梯数 价格
40: ¥1.356
100: ¥1.0392
1,250: ¥0.8796
2,500: ¥0.8148
4,238 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥3.9097 

阶梯数 价格
40: ¥3.9097
50: ¥3.5934
100: ¥2.9898
300: ¥2.5969
500: ¥2.5106
1,000: ¥2.4531
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥3.9097 

阶梯数 价格
40: ¥3.9097
50: ¥3.5934
100: ¥2.9898
300: ¥2.5969
500: ¥2.5106
1,000: ¥2.4531
1,600 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥0.8235 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.8235
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售