RS1E130GNTB 与 IRFH8337TRPBF 区别
| 型号 | RS1E130GNTB | IRFH8337TRPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS1E130GNTB-1 | A-IRFH8337TRPBF | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 30V, 16.2A, 0.0128 ohms, PQFN 5x6 HEXFET POWER MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 22.2W | 3.2W(Ta),27W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-HSOP | PQFN(5x6) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A | 12A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 790pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 11.7mΩ@13A,10V | 12.8mΩ@16.2A,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 790pF @ 10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS1E130GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-HSOP N-Channel 22.2W 11.7mΩ@13A,10V ±20V 30V 13A |
￥5.5582
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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IRFH8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC120N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 39A 10mΩ 20V 28W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON6204 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 24A 31W 12mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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