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RS1E130GNTB  与  AON6204  区别

型号 RS1E130GNTB AON6204
唯样编号 A32-RS1E130GNTB-1 A-AON6204
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 15.8
功率耗散Pd 22.2W 31W
ESD Diode - No
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 18mΩ
Qrr(nC) - 17
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 1.4
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 8-HSOP DFN 5x6
连续漏极电流Id 13A 24A
Ciss(pF) - 510
导通电阻Rds(On) 11.7mΩ@13A,10V 12mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11
Coss(pF) - 220
Qg*(nC) - 3.5
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥5.5582
500+ :  ¥5.1307
1,000+ :  ¥4.7744
2,500+ :  ¥3.9907
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E130GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-HSOP N-Channel 22.2W 11.7mΩ@13A,10V ±20V 30V 13A

¥5.5582 

阶梯数 价格
100: ¥5.5582
500: ¥5.1307
1,000: ¥4.7744
2,500: ¥3.9907
2,500 当前型号
IRFH8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC120N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 39A 10mΩ 20V 28W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比
AON6204 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 24A 31W 12mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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