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RRH050P03TB1  与  AO4405L  区别

型号 RRH050P03TB1 AO4405L
唯样编号 A32-RRH050P03TB1-1 A-AO4405L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 3W
功率耗散(最大值) 650mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 850pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-SOP SO-8
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 6A
系列 - AO
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 5A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5A(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
导通电阻Rds(On) - 50mΩ@6A,10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,600 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥4.0618
500+ :  ¥3.7769
1,000+ :  ¥3.4918
2,500+ :  ¥2.9218
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH050P03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 8-SOP

¥4.0618 

阶梯数 价格
100: ¥4.0618
500: ¥3.7769
1,000: ¥3.4918
2,500: ¥2.9218
2,600 当前型号
AO4405L AOS 功率MOSFET

±20V 50mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 6A SO-8 3W

暂无价格 0 对比
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 7A 32mΩ

暂无价格 0 对比

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