RQ6P015SPTR 与 RSQ015P10TR 区别
| 型号 | RQ6P015SPTR | RSQ015P10TR | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RQ6P015SPTR-1 | A-RSQ015P10TR | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 600mW(Ta) | - | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 600mW(Ta) | ||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 950pF @ 25V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P 通道 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-6,TSOT-23-6 | TSMT6(SC-95) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A(Ta) | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 470 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1.5A(Ta) | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 950pF @ 25V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 470mΩ@1.5A,10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 322nC @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 17nC @ 5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ6P015SPTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 100V 1.5A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 470mΩ@1.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥2.1378
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ015P10TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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