RQ3L070ATTB 与 NVTFS5116PLTWG 区别
| 型号 | RQ3L070ATTB | NVTFS5116PLTWG | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RQ3L070ATTB-1 | A-NVTFS5116PLTWG | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | - | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2850 pF @ 30 V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-WDFN(3.3x3.3) | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 48 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 28 毫欧 @ 7A,10V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 25A(Tc) | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 60 V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3L070ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
￥4.9882
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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NTTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
P-Channel 5.7A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 6A,10V -55°C~175°C(TJ) WDFN 60V 5.7A |
￥2.196
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1,969 | 对比 | |||||||||||
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NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
P-Channel 6A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 7A,10V -55°C~175°C(TJ) 60V 6A 车规 WDFN-8(3.3x3.3) |
￥4.788
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1,733 | 对比 | |||||||||||
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NTTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
P-Channel 5.7A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 6A,10V -55°C~175°C(TJ) WDFN 60V 5.7A |
暂无价格 | 2 | 对比 | |||||||||||
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NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
P-Channel 6A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 7A,10V -55°C~175°C(TJ) 60V 6A 车规 WDFN-8(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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