RQ3E120BNTB 与 AON7506 区别
| 型号 | RQ3E120BNTB | AON7506 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RQ3E120BNTB-1 | A36-AON7506 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 20.5W | ||||||||||||||||
| 上升时间 | 30ns | - | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 29nC | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 46ns | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | DFN 3x3 EP | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 12A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 下降时间 | 12ns | - | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9ns | - | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 9.3mΩ@12A,10V | 9.8mΩ@12A,10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 4,490 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E120BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel |
￥3.3493
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7752 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V |
￥1.2821
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4,722 | 对比 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.1184
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4,490 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
￥1.524
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1,478 | 对比 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.6202
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1,081 | 对比 |
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