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RQ3E120ATTB  与  DMG7401SFG-7  区别

型号 RQ3E120ATTB DMG7401SFG-7
唯样编号 A32-RQ3E120ATTB-1 A-DMG7401SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 -30V 9.8A 13mO P-ch POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W -
宽度 2.4mm -
上升时间 30ns -
漏源极电压Vds 39V -
Qg-栅极电荷 62nC -
栅极电压Vgs ±20V -
典型关闭延迟时间 140ns -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 HSMT PowerDI3333-8
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A -
系列 RQ -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
长度 3mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 95ns -
典型接通延迟时间 20ns -
导通电阻Rds(On) 8mΩ@-12A,-10V -
高度 0.85mm -
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥5.0596
500+ :  ¥4.7031
1,000+ :  ¥4.3469
3,000+ :  ¥3.6342
6,000+ :  ¥3.3493
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel

¥5.0596 

阶梯数 价格
100: ¥5.0596
500: ¥4.7031
1,000: ¥4.3469
3,000: ¥3.6342
6,000: ¥3.3493
6,000 当前型号
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 2,000 对比
AON7405 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3.3x3.3 EP P-Channel -30V ±25V -50A 83W 6.2mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C

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DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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