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RH6G040BGTB1  与  BSZ034N04LS  区别

型号 RH6G040BGTB1 BSZ034N04LS
唯样编号 A32-RH6G040BGTB1 A-BSZ034N04LS
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V 2.7mΩ
上升时间 - 4ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 52W
Qg-栅极电荷 - 35nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 46S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
连续漏极电流Id 95A 40A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS5
长度 - 3.3mm
下降时间 - 3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.4895
25+ :  ¥6.0088
100+ :  ¥5.5637
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55℃~150℃

¥6.4895 

阶梯数 价格
1: ¥6.4895
25: ¥6.0088
100: ¥5.5637
100 当前型号
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_-55°C~150°C(TJ) 40V 40A 14.2mΩ 10V 35W N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ034N04LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ034N04LSATMA1_40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSZ063N04LS6 Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
BSZ097N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
NVTFS004N04CTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比

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