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RF4E110GNTR  与  PMEG4010CEAX  区别

型号 RF4E110GNTR PMEG4010CEAX
唯样编号 A32-RF4E110GNTR-1 A-PMEG4010CEAX
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SBD肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr - 40V
上升时间 5.5ns -
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 7.4nC -
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 6S -
封装/外壳 DFN2020-8 SOD-323
连续漏极电流Id 11A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
配置 Single -
下降时间 3ns -
导通电阻Rds(On) 11.3mΩ@11A,10V -
功率耗散Pd 2W -
漏源极电压Vds 30V -
典型关闭延迟时间 21ns -
FET类型 N-Channel -
反向漏电流Ir - 8uA
系列 RF4E110GN -
通道数量 1Channel -
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.84V
尺寸 - 1.7 x 1.25 x 0.95
正向电流If - 1A
正向浪涌电流Ifsm - 8A
二极管电容 - 24pF@VR=1V
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 2,100 1
工厂交货期 7 - 14天 3 - 5天
单价(含税)
100+ :  ¥2.6367
500+ :  ¥2.4229
1,000+ :  ¥2.2805
530+ :  ¥1.2309
1,000+ :  ¥0.9118
1,500+ :  ¥0.7474
3,000+ :  ¥0.6499
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.6367 

阶梯数 价格
100: ¥2.6367
500: ¥2.4229
1,000: ¥2.2805
2,100 当前型号
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规

暂无价格 2 对比
PMEG4010CEAX Nexperia  数据手册 SBD肖特基二极管

SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规

¥1.2309 

阶梯数 价格
530: ¥1.2309
1,000: ¥0.9118
1,500: ¥0.7474
3,000: ¥0.6499
1 对比
74LVCH2T45GT,115 Nexperia  数据手册 变换器/转换器

SOT833

¥1.9463 

阶梯数 价格
5,000: ¥1.9463
0 对比
PMPB20EN,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 N-Channel 19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V 1.7W 150°C 20V,1.5V 30V 10.4A

暂无价格 936 对比
PMPB07R3ENX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A

¥6.9125 

阶梯数 价格
5: ¥6.9125
100: ¥5.1204
1,000: ¥3.7929
1,500: ¥3.1089
3,000: ¥2.7034
420 对比

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