RF4C100BCTCR 与 74LVCH2T45GT,115 区别
| 型号 | RF4C100BCTCR | 74LVCH2T45GT,115 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RF4C100BCTCR-1 | A3n-74LVCH2T45GT,115 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 变换器/转换器 | ||||||||||||
| 描述 | IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | - | ||||||||||||
| 工作热阻 | - | 144,307 | ||||||||||||
| 电源电压 | - | 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | - | ||||||||||||
| 传播延迟时间 | - | 2.5ns | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | - | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | SOT833 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -40°C~125°C | ||||||||||||
| 输出电流 | - | ± 24mA | ||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 23.5nC@4.5V | - | ||||||||||||
| 通道数 | - | 2 | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 15.6mΩ@10A,4.5V | - | ||||||||||||
| 逻辑切换水平 | - | CMOS/LVTTL | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 5,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55°C~150°C 20V |
¥2.4573
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
¥1.1053
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5,000 | 对比 | ||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
¥1.2309
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1 | 对比 | ||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
¥1.9463
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0 | 对比 | ||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
¥0.2868
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0 | 对比 | ||||||||||
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PMPB33XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 46mΩ@2.5V,37mΩ@4.5V 1.7W 150°C 12V,-0.68V -20V -7.9A |
¥0.581
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300,000 | 对比 |