RCJ120N20TL 与 IRF630NSTRLPBF 区别
| 型号 | RCJ120N20TL | IRF630NSTRLPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RCJ120N20TL-1 | A-IRF630NSTRLPBF | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.56W(Ta),40W(Tc) | 82W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263AB | ||||||
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | 9.3A | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 575pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.25V @ 1mA | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | 575pF @ 25V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 325mΩ@6A,10V | 300mΩ@5.4A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | 35nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RCJ120N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 12A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 325mΩ@6A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥12.6844
|
1,000 | 当前型号 | ||||||||
|
IRF630NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 82W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 300mΩ@5.4A,10V N-Channel 200V 9.3A TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
