R8009KNXC7G 与 R8010ANX 区别
| 型号 | R8009KNXC7G | R8010ANX | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-R8009KNXC7G-1 | A-R8010ANX | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | High-speed Switching Nch 800V 9A Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 59W(Tc) | - | ||||||||||
| 宽度 | - | 10.3mm | ||||||||||
| 上升时间 | - | 54ns | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 900 pF @ 100 V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 3V | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 2.2S | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27 nC @ 10 V | - | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 10A | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 长度 | - | 15.4mm | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 4.5A,10V | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 下降时间 | - | 25ns | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1750pF @ 25V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 560mΩ | ||||||||||
| 高度 | - | 4.8mm | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 40W | ||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 97ns | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 5mA | - | ||||||||||
| 系列 | - | R8010ANX | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 9A(Ta) | - | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 800 V | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 43ns | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 62nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,970 | 100 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
￥23.0882
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1,970 | 当前型号 | ||||||||||||
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R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||||||
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R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
暂无价格 | 165 | 对比 | ||||||||||||
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R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
￥34.5446
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125 | 对比 | ||||||||||||
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R8010ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V |
￥20.9152
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100 | 对比 | ||||||||||||
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R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥39.7313
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100 | 对比 |
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