R8008ANJGTL 与 R8008ANJFRGTL 区别
| 型号 | R8008ANJGTL | R8008ANJFRGTL | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-R8008ANJGTL-1 | A3x-R8008ANJFRGTL | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263 (D2PAK) | TO-263S-3 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 195W | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 38 nC | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.03Ω | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R8008ANJGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 (D2PAK) |
￥28.8603
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1,000 | 当前型号 | ||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
￥29.7154
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1,000 | 对比 | ||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
￥7.9936
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0 | 对比 | ||||||||
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R8008ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 8A 1.03Ω 30V 195W -55°C~150°C 车规 |
￥7.9936
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0 | 对比 |
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