R8005ANJFRGTL 与 R8005ANJGTL 区别
| 型号 | R8005ANJFRGTL | R8005ANJGTL | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-R8005ANJFRGTL-1 | A33-R8005ANJGTL-0 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263S-3 | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 120W | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5A | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 800V | - | ||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 20 nC | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.1Ω | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 30V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 100 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8005ANJFRGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 800V 5A 2.1Ω 30V 120W -55°C~150°C 车规 |
￥21.663
|
1,000 | 当前型号 | ||||||||
|
R8005ANJGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥15.6385
|
100 | 对比 | |||||||||
|
|
R8005ANJGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥21.0218
|
100 | 对比 | |||||||||
|
|
R8005ANJGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
