R6030JNZ4C13 与 R6030MNZ1C9 区别
| 型号 | R6030JNZ4C13 | R6030MNZ1C9 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-R6030JNZ4C13-2 | A33-R6030MNZ1C9 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247G | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 370W(Tc) | - | ||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2500pF @ 100V | - | ||||||||||
| FET类型 | N 通道 | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247G | TO-247 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 7V @ 5.5mA | - | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 143 毫欧 @ 15A,15V | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 15V | - | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 30A(Tc) | - | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 74nC @ 15V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 600 | 30 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥56.2953
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600 | 当前型号 | ||||||||
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R6030MNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 |
￥28.4981
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30 | 对比 | ||||||||
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R6030MNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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