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R6024ENJTL  与  AOB20S60L  区别

型号 R6024ENJTL AOB20S60L
唯样编号 A32-R6024ENJTL-2 A-AOB20S60L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 245W 266W
上升时间 50ns -
漏源极电压Vds 600V 600V
Qg-栅极电荷 70nC -
栅极电压Vgs 2V ±30V
典型关闭延迟时间 180ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO263
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 24A 20A
系列 SuperJunction-MOSEN AOB
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1038pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 50ns -
典型接通延迟时间 35ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V -
导通电阻Rds(On) 150mΩ 199mΩ@10A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥32.8508
100+ :  ¥28.5039
500+ :  ¥26.2949
1,000+ :  ¥21.8768
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 24A 245W 150mΩ 600V 2V

¥32.8508 

阶梯数 价格
1: ¥32.8508
100: ¥28.5039
500: ¥26.2949
1,000: ¥21.8768
1,000 当前型号
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 27,000 对比
STB27NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB23NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
STB23NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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