R6020KNJTL 与 STB20N65M5 区别
| 型号 | R6020KNJTL | STB20N65M5 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-R6020KNJTL-1 | A36-STB20N65M5 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 231W(Tc) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1550pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 196mΩ@9.5A,10V | - | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 40nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 998 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6020KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
¥29.2879
|
1,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 27,000 | 对比 | ||||||||||
|
STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
|
STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
¥13.74
|
998 | 对比 | ||||||||||
|
AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 |