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R6015KNJTL  与  STB22N60DM6  区别

型号 R6015KNJTL STB22N60DM6
唯样编号 A32-R6015KNJTL-1 A-STB22N60DM6
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 184W(Tc) -
漏源极电压Vds 600V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 15A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1050pF @ 25V -
导通电阻Rds(On) 290mΩ@6.5A,10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥23.7296
100+ :  ¥20.594
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 184W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥23.7296 

阶梯数 价格
1: ¥23.7296
100: ¥20.594
100 当前型号
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 4,000 对比
STB20NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
STB20NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥23.436 

阶梯数 价格
3: ¥23.436
100: ¥20.928
973 对比
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB22N60DM6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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