R6015ENJTL 与 STB21NM60ND 区别
| 型号 | R6015ENJTL | STB21NM60ND | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-R6015ENJTL-1 | A-STB21NM60ND | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 40W(Tc) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 15A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 910pF @ 25V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 290mΩ@6.5A,10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6015ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 40W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥23.7296
|
1,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
STB21NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
STB20NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
|
|
STB20NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥23.436
|
973 | 对比 | ||||||||||
|
|
STB21NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IPB60R280P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK (TO-263) N-Channel 3V,4V 600V 36A 280mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
