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R6015ENJTL  与  IPB60R280P7  区别

型号 R6015ENJTL IPB60R280P7
唯样编号 A32-R6015ENJTL-1 A-IPB60R280P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Ptot max - 53.0 W
功率耗散Pd 40W(Tc) -
漏源极电压Vds 600V 600V
Ciss - 761.0 pF
Rth - 2.36 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
Coss - 14.0 pF
栅极电压Vgs ±20V 3V,4V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 5.0 nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK (TO-263)
Mounting - SMT
连续漏极电流Id 15A(Tc) 36A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
QG - 18.0 nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 25V -
导通电阻Rds(On) 290mΩ@6.5A,10V 280mΩ
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥23.7296
100+ :  ¥20.594
500+ :  ¥19.0264
1,000+ :  ¥15.8196
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 40W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥23.7296 

阶梯数 价格
1: ¥23.7296
100: ¥20.594
500: ¥19.0264
1,000: ¥15.8196
1,000 当前型号
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 4,000 对比
STB20NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
STB20NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥23.436 

阶梯数 价格
3: ¥23.436
100: ¥20.928
973 对比
STB21NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R280P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK (TO-263) N-Channel 3V,4V 600V 36A 280mΩ -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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