R6011KNJTL 与 AOB11S60L 区别
| 型号 | R6011KNJTL | AOB11S60L | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-R6011KNJTL-1 | A-AOB11S60L | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | - | 1.42 | ||||
| ESD Diode | - | No | ||||
| Qgd(nC) | - | 3.8 | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V | ||||
| Td(on)(ns) | - | 20 | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263 | ||||
| 连续漏极电流Id | 11A(Tc) | 11A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||
| Ciss(pF) | - | 545 | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 740pF @ 25V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 390mΩ@3.8A,10V | 399mΩ@10V | ||||
| Schottky Diode | - | No | ||||
| Trr(ns) | - | 250 | ||||
| Td(off)(ns) | - | 59 | ||||
| 功率耗散Pd | 124W(Tc) | 178W | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||
| Qrr(nC) | - | 3300 | ||||
| VGS(th) | - | 4.1 | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - | ||||
| Coss(pF) | - | 37.3 | ||||
| Qg*(nC) | - | 11* | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6011KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 11A(Tc) ±20V 124W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥20.879
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100 | 当前型号 | ||||||||
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STB15N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||
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STB15N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.764
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2,626 | 对比 | ||||||||
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STB15N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOB11S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 600V 30V 11A 178W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOB11S65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 650V 30V 11A 198W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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