R6007ENJTL 与 STB11NM60T4 区别
| 型号 | R6007ENJTL | STB11NM60T4 | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-R6007ENJTL-1 | A-STB11NM60T4 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 40W(Tc) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 390pF @ 25V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 620mΩ@2.4A,10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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R6007ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥17.53
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥6.612
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854 | 对比 | ||||||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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