R6002END3TL1 与 RDD023N50TL 区别
| 型号 | R6002END3TL1 | RDD023N50TL | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-R6002END3TL1-1 | A-RDD023N50TL | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||
| 上升时间 | 16ns | - | ||
| Qg-栅极电荷 | 6.5nC | - | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 151pF @ 25V | ||
| 栅极电压Vgs | 2V | - | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 0.5S | - | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 | ||
| 连续漏极电流Id | 1.7A | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 5.4 欧姆 @ 1A,10V | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||
| 下降时间 | 60ns | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 3.4Ω | - | ||
| 功率耗散Pd | 26W | - | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | 25ns | - | ||
| FET类型 | - | N 通道 | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2V @ 1mA | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 2A(Tc) | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 500V | ||
| 典型接通延迟时间 | 12ns | - | ||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 11nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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R6002END3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C |
￥4.9882
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RDD023N50TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥4.9733
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RDD023N50TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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