NTTFS5820NLTAG 与 RH6L040BGTB1 区别
| 型号 | NTTFS5820NLTAG | RH6L040BGTB1 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-NTTFS5820NLTAG | A3-RH6L040BGTB1 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | HSMT8 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 65A | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.1mΩ@40A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 59W | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 25 | 20 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
￥8.48
|
25 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥8.0876
|
2,277 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥4.3403
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
