NTTFS5820NLTAG 与 RH6L040BGTB1 区别
| 型号 | NTTFS5820NLTAG | RH6L040BGTB1 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-NTTFS5820NLTAG-0 | A33-RH6L040BGTB1-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | HSMT8 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 65A | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.1mΩ@40A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 59W | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 1,500 | 2,277 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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NTTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
￥14.84
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1,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
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SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥8.0876
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2,277 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥4.3403
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0 | 对比 |
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