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IRLML6402TRPBF  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 IRLML6402TRPBF IRLML5203TRPBF
唯样编号 A32-IRLML6402TRPBF-2 A33-IRLML5203TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.7A,4.5V 98mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 3A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 24,000 17,870
工厂交货期 7 - 14天 21 - 28天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.5459
6,000+ :  ¥0.5323
12,000+ :  ¥0.5189
24,000+ :  ¥0.506
120+ :  ¥1.2937
500+ :  ¥1.1691
1,000+ :  ¥1.1691
2,000+ :  ¥1.1595
4,000+ :  ¥1.1595
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5459 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5459
6,000: ¥0.5323
12,000: ¥0.5189
24,000: ¥0.506
24,000 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,000 对比
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
27,471 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
RTR030P02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SC-96

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
15,621 对比
PMV50UPE,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50UPE_SOT23

¥0.627 

阶梯数 价格
80: ¥0.627
200: ¥0.4771
1,500: ¥0.416
3,000: ¥0.3679
5,200 对比

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